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SiC素子の基礎と応用 貸出可

荒井 和雄／共編 -- オーム社 -- 2003.3 -- 549.8 ／549.8

https://www2.tosyo-saga.jp/kentosyo2/opac/switch-detail.do?bibid=1100568845

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所蔵

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所蔵館	所蔵場所	請求記号	資料コード	資料区分	帯出区分	状態
県立（本館）	大和新１	/549.8/E75/	113652093	一般図書	利用可	在架

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資料詳細

タイトル	SiC素子の基礎と応用
著者	荒井 和雄 ／共編, 吉田 貞史 ／共編
出版者	オーム社
出版年	2003.3
ページ数	270p
大きさ	22cm
一般件名	半導体
NDC分類	549.8 ／ 549.8
内容紹介	注目のSiC素子開発の現状と問題点を明らかにし、それがいかにパワーエレクトロニクスに革新をもたらそうとしているかを詳述。SiCの基礎事項、実証、応用と波及効果および今後の展開などをまとめる。
ISBN13桁	4-274-94885-4

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