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次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎 　

田中 保宣／監修 -- 科学情報出版 -- 2021.1 -- 549.8 ／549.8

https://www2.tosyo-saga.jp/kentosyo2/opac/switch-detail.do?bibid=1102343859

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所蔵館	所蔵場所	請求記号	資料コード	資料区分	帯出区分	状態
県立（本館）	公開閲覧	/549.8/J54/	116256975	一般図書	利用可	在架

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資料詳細

タイトル	次世代パワー半導体デバイス・実装技術の基礎
副書名	Siから新材料への新展開
叢書名	設計技術シリーズ
著者	田中 保宣 ／監修
出版者	科学情報出版
出版年	2021.1
ページ数	10,279p
大きさ	21cm
一般件名	半導体 , パワーエレクトロニクス
NDC分類	549.8 ／ 549.8
内容紹介	WBG半導体による次世代パワーデバイスに加え、性能限界が叫ばれる中でも更なる性能向上を進めているSiパワーデバイスの研究開発の最前線について、各分野の代表的な研究者が解説する。
ISBN	978-4-904774-95-3

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