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パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス 貸出可

岩室 憲幸／著 -- 科学情報出版 -- 2024.2 -- 549.8 ／549.8

https://www2.tosyo-saga.jp/kentosyo2/opac/switch-detail.do?bibid=1102584588

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所蔵

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所蔵館	所蔵場所	請求記号	資料コード	資料区分	帯出区分	状態
県立（本館）	公開閲覧	/549.8/I94/	116484189	一般図書	利用可	在架

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資料詳細

タイトル	パワエレ技術者のためのSiCパワー半導体デバイス
副書名	高信頼性を実現する素子と実装技術
叢書名	設計技術シリーズ
著者	岩室 憲幸 ／著
出版者	科学情報出版
出版年	2024.2
ページ数	7,186p
大きさ	21cm
一般件名	半導体 , パワーエレクトロニクス
NDC分類	549.8 ／ 549.8
内容紹介	電気エネルギーの一層の有効利用実現に欠かすことのできないパワー半導体デバイス、特に需要の拡大が期待されるSiC MOSFETについて、現状と課題ならびに課題解決のための最新技術をわかりやすく解説する。
ISBN	978-4-910558-26-4

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